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[发明专利]半导体器件-CN201610168351.2在审
发明人：刘庭均;李炯宗;张锺光;金盛民 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一鳍型图案和第二鳍型图案，由沟槽限定，第一鳍型图案和第二鳍型图案，沿第一方向延伸，第一鳍型图案和第二鳍型图案是相互最近的；场绝缘层，填充沟槽的一部分；接触件，与场绝缘层、第一鳍型图案和第二鳍型图案相接触，接触件具有波形形状的底表面。
半导体器件

[发明专利]一种鳍型半导体器件及其制造方法-CN202010476301.7在审
发明人：黄秋铭;谭俊;颜强 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种鳍型半导体器件及其制造方法。制造方法包括：提供衬底；对衬底进行第一次刻蚀，以形成凸起于衬底的鳍型沟道；在鳍型沟道的两侧和顶部形成氧化物材质的保护层；对衬底进行第二次刻蚀，使凸起于衬底的鳍型沟道向下延伸，以构成未被保护层遮挡的底部鳍型沟道；对底部鳍型沟道进行氧化，并保留被保护层阻挡的顶部鳍型沟道；以及去除保护层和氧化后的底部鳍型沟道，以使顶部鳍型沟道悬空于衬底。本发明的另一方面所提供的鳍型半导体器件具有悬空于底部衬底的鳍型沟道以及覆盖悬空鳍型沟道的全包围栅极，从而有效地改进了鳍型场效应晶体管的器件性能。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201810288244.2在审
发明人：姜明昊;金庆燮;金贞林;李载明;吴兴锡;林莲花;全众源 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括第一鳍型图案，该第一鳍型图案包括在第一方向上延伸的第一长侧和在第二方向上延伸的第一短侧。第二鳍型图案基本上平行于第一鳍型图案布置。第一栅电极交叉第一鳍型图案和第二鳍型图案。第二鳍型图案包括突出超过第一鳍型图案的第一短侧的突出部分。第一栅电极与包括第一鳍型图案的第一短侧的第一鳍型图案的端部分重叠。限定第一鳍型图案的第一短侧的第一鳍型图案的第一侧壁的至少部分由具有第一深度的第一沟槽限定。第一沟槽直接邻接具有更大的第二深度的第二沟槽。
鳍型图案半导体器件栅电极第一侧壁图案布置邻接延伸平行

[实用新型]具有开叉型鳍片的马达框架-CN201621049451.5有效
发明人：许孟原;王祈欣;蔡承翰;房子阳 -专利权人：东元电机股份有限公司
申请日： 2016-09-12 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H02K5/18 文献下载
摘要：一种具有开叉型鳍片的马达框架，可套设于一马达核心组件，包含一框架本体与多个开叉型鳍片。框架本体吸收并传递马达核心组件运作时所产生的热能；开叉型鳍片包含一本体鳍片、一第一延伸鳍片与一第二延伸鳍片。本体鳍片自框架本体的外壁延伸至一本体鳍片端部；第一延伸鳍片自本体鳍片端部延伸出；第二延伸鳍片自本体鳍片端部与一第一延伸鳍片分叉地延伸出；其中，开叉型鳍片的本体鳍片与第一延伸鳍片与框架本体以及相邻的开叉型鳍片的本体鳍片与第二延伸鳍片围构出一缩口型散热通道
具有开叉型鳍片马达框架

[发明专利]一种鳍型半导体器件及其制造方法-CN202010474867.6在审
发明人：黄秋铭;谭俊;颜强 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种鳍型半导体器件及其制造方法。上述制造方法包括：提供衬底，上述衬底上形成有与上述衬底接触的鳍型沟道；对上述鳍型沟道的顶部进行外延生长，使顶部鳍型沟道向两侧和上方延伸；外延生长后的鳍型沟道进行氧化，并保留上述顶部鳍型沟道中心的沟道结构；以及去除氧化后的鳍型沟道，以使上述沟道结构悬空于上述衬底。本发明的另一方面所提供的鳍型半导体器件具有悬空于底部衬底的鳍型沟道以及覆盖悬空鳍型沟道的全包围栅极，从而有效地改进了鳍型场效应晶体管的器件性能。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202210470214.X在审
发明人：罗采昊;金成洙;闵宣基;卢东贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：所述半导体器件可以包括：第一鳍型图案和第二鳍型图案，所述第一鳍型图案和所述第二鳍型图案位于衬底上；第一外延图案，所述第一外延图案位于所述第一鳍型图案上；第二外延图案，所述第二外延图案位于所述第二鳍型图案上；以及下场绝缘膜，所述下场绝缘膜位于所述衬底上并且在所述第一鳍型图案的侧壁和所述第二鳍型图案的侧壁上延伸，其中，所述下场绝缘膜包括在第三方向上突出的突起。所述下场绝缘膜的所述突起可以位于所述第一鳍型图案与所述第二鳍型图案之间，并且所述下场绝缘膜的所述突起的顶表面的垂直高度随着距所述第一鳍型图案的所述侧壁的距离增加而先增加后减小。
半导体器件

[发明专利]半导体元件及半导体单元阵列-CN201711162408.9有效
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体元件，包括多鳍有源区、单鳍有源区、及在多鳍有源区与单鳍有源区之间的隔离特征。多鳍有源区包括第一群鳍、平行于第一群鳍的第二群鳍、设置在第一群鳍上方的第一n型场效晶体管、设置在第二群鳍上方的第一p型场效晶体管。单鳍有源区邻接多鳍有源区。单鳍有源区包括第一鳍、与第一鳍不同的第二鳍、设置在第一鳍上方的第二n型场效晶体管、及设置在第二鳍上方的第二p型场效晶体管。
半导体元件单元阵列

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201810661927.8有效
发明人：唐粕人 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，方法包括：形成第一类型鳍侧墙和第二类型鳍侧墙，第一类型鳍侧墙分别位于第三鳍部区组在第三鳍部区宽度方向上的两侧侧壁、以及第四鳍部区组在第四鳍部区宽度方向上的两侧侧壁，第二类型鳍侧墙位于在第三鳍部区宽度方向上相邻的第三鳍部区之间且位于第三鳍部区的侧壁，第二类型鳍侧墙还位于在第四鳍部区宽度方向上相邻的第四鳍部区之间且位于第四鳍部区的侧壁，第一类型鳍侧墙的顶部表面高于第二类型鳍侧墙的顶部表面、且高于第三鳍部区和第四鳍部区的顶部表面；之后形成第一掺杂层和第二掺杂层
半导体器件及其形成方法

[实用新型]具有侧分型鳍片的马达框架-CN201621049852.0有效
发明人：许孟原;王祈欣;蔡承翰;房子阳 -专利权人：东元电机股份有限公司
申请日： 2016-09-12 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H02K5/18 文献下载
摘要：一种具有侧分型鳍片的马达框架，可套设于一马达核心组件，包含一框架本体与多个侧分型鳍片。框架本体吸收并传递马达核心组件运作时所产生的热能；侧分型鳍片包含一本体鳍片、一第一侧分鳍片与一第二侧分鳍片。本体鳍片自框架本体的外壁延伸至一本体鳍片端部；第一侧分鳍片自本体鳍片端部延伸出；第二侧分鳍片自本体鳍片端部背向第一侧分鳍片延伸出；其中，侧分型鳍片的本体鳍片、第一侧分鳍片、框架本体以及相邻的侧分型鳍片的本体鳍片与第二侧分鳍片围构出一缩口型散热通道
具有侧分型鳍片马达框架

[发明专利]制造集成电路器件的方法-CN202010589566.8在审
发明人：郑镛国;朴起宽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种制造集成电路器件的方法包括：在基板的第一区域中形成第一鳍型有源区以及在所述基板的第二区域中形成第二鳍型有源区；在所述基板上形成间隔物层，所述间隔物层覆盖所述第一鳍型有源区和所述第二鳍型有源区；以及蚀刻所述间隔物层、所述第一鳍型有源区和所述第二鳍型有源区以同时形成所述第一鳍型有源区上的第一凹陷、所述第二鳍型有源区上的第二凹陷以及第一鳍绝缘间隔物，所述第一鳍绝缘间隔物是所述间隔物层的第一剩余部分，该第一剩余部分覆盖所述第一凹陷下面的所述第一鳍型有源区的侧壁
制造集成电路器件方法

[发明专利]用于半导体装置的结合SADP鳍片及其制造方法-CN201710291608.8有效
发明人：尼古拉斯·文森特·利考西;E·S·科扎尔斯基;古拉密·波奇 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明涉及用于半导体装置的结合SADP鳍片及其制造方法，半导体胞元包括衬底、以及含至少五个实质平行鳍片的阵列，此等鳍片是以实质均等鳍宽布置于该衬底上。阵列内至少一对相邻鳍片间包括预定最小间隔距离。阵列具有用于n型半导体装置的第一n型鳍片、及用于p型半导体装置的第一p型鳍片。该第一p型鳍片是与该第一n型鳍片相邻而置并且以预定第一n至p距离与该第一n型鳍片相隔。该第一n至p距离大于该最小间隔距离，并且小于该鳍宽加两倍该最小间隔距离的总和。
用于半导体装置结合 sadp 及其制造方法

[发明专利]一种应用于FinFET工艺中的集成电路芯片的静电保护装置及其制备方法-CN202010008162.5在审
发明人：姜一波;毕卉;赵伟 -专利权人：常州工学院
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种应用于FinFET工艺中的集成电路芯片的静电保护装置及其制备方法，包括半导体基底、N型阱区、P型阱区、阳极P型重掺杂鳍片区、阳极N型重掺杂鳍片区、肖特基轻掺杂鳍片区、金属、阴极P型重掺杂鳍片区、阴极N型重掺杂鳍片区和鳍片隔离结构，所述N型阱区和P型阱区位于所述半导体基底内，所述阳极P型重掺杂鳍片区、N型阱区和P型阱区构成寄生的PNP结构BJT，所述N型阱区、P型阱区和阴极N型重掺杂鳍片区构成寄生的NPN结构BJT，所述PNP结构BJT和所述NPN结构BJT结构相互嵌入构成鳍栅结构可控硅，所述肖特基轻掺杂鳍片区和金属形成肖特基势垒，构成肖特基二极管，所述肖特基二极管作为所述鳍栅结构可控硅的触发机构
一种应用于 finfet 工艺中的集成电路芯片静电保护装置及其制备方法

[发明专利]手提电脑用散热鳍片的扣合构造-CN200710134708.6无效
发明人：金铭 -专利权人：昆山市宝福通电子科技有限公司
申请日： 2007-10-15 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： G06F1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种手提电脑用散热鳍片的扣合构造，包括由多数单片式散热鳍片相互扣合组成的散热组件，散热鳍片具有一同向的上弯折部和下弯折部，上弯折部和下弯折部分别形成呈凸出的“T”型连接部，上弯折部和下弯折部上分别形成呈“T”型的连接孔，且“T”型连接孔延伸到散热鳍片本体，凸出的“T”型连接部和“T”型连接孔方向相同，各散热鳍片相连时，后一片散热鳍片的T型连接部恰好可置于前一片散热鳍片的T型连接孔中，后一片散热鳍片的T型连接部端头向散热鳍片本体内凹陷且凹陷端面止挡于前一片散热鳍片本体侧面，后一片散热鳍片T型连接部的肩部抵触于前一片散热鳍片T型连接孔的肩部。
手提电脑散热构造

[实用新型]手提电脑用散热鳍片的扣合构造-CN200720038694.3无效
发明人：金铭 -专利权人：昆山市宝福通电子科技有限公司
申请日： 2007-07-10 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： G06F1/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种手提电脑用散热鳍片的扣合构造，包括由多数单片式散热鳍片相互扣合组成的散热组件，散热鳍片具有一同向的上弯折部和下弯折部，上弯折部和下弯折部分别形成呈凸出的“T”型连接部，上弯折部和下弯折部上分别形成呈“T”型的连接孔，且“T”型连接孔延伸到散热鳍片本体，凸出的“T”型连接部和“T”型连接孔方向相同，各散热鳍片相连时，后一片散热鳍片的T型连接部恰好可置于前一片散热鳍片的T型连接孔中，后一片散热鳍片的T型连接部端头向散热鳍片本体内凹陷且凹陷端面止挡于前一片散热鳍片本体侧面，后一片散热鳍片T型连接部的肩部抵触于前一片散热鳍片T型连接孔的肩部。
手提电脑散热构造

[发明专利]半导体装置-CN201910003735.2在审
发明人：李允逸;朴星一;朴宰贤;李炯锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：所述半导体装置包括：第一鳍型图案和第二鳍型图案，从基底突出并且彼此间隔开以在第一方向上延伸；虚设鳍型图案，从基底突出，并位于第一鳍型图案与第二鳍型图案之间；第一栅极结构，在与第一方向交叉的第二方向上延伸，位于第一鳍型图案上；第二栅极结构，在第二方向上延伸，位于第二鳍型图案上；以及盖图案，在第二方向上延伸，位于第一栅极结构和第二栅极结构上，其中，盖图案包括与虚设鳍型图案的上表面接触的分离部分，并且虚设鳍型图案和分离部分使第一栅极结构与第二栅极结构分离
鳍型图案栅极结构半导体装置虚设延伸基底方向交叉上表面

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